局部放電檢測(cè)儀缺陷類型判斷依據(jù)

  1、設(shè)備內(nèi)自由金屬微粒造成的局部放電

  對(duì)于運(yùn)行中的設(shè)備，由于設(shè)備的使用，以及損耗，會(huì)產(chǎn)生一些金屬顆粒物質(zhì)，造成設(shè)備內(nèi)部的局部放電。通過局部放電檢測(cè)儀檢測(cè)，查看微粒信號(hào)的幅值：背景噪聲，來判斷局部放電的類型。

  2、設(shè)備電暈放電

  電力設(shè)備的毛刺一般在殼體上，但導(dǎo)體上的毛刺危害更大，只要信號(hào)高于背景值，都是有害的，應(yīng)根據(jù)工況酌情處理，在進(jìn)行耐壓過程中發(fā)現(xiàn)毛刺放電現(xiàn)象，即便低于標(biāo)準(zhǔn)值，也應(yīng)進(jìn)行處理。

  3、設(shè)備懸浮電位

  電位懸浮一般發(fā)生在斷路器氣室的屏蔽松動(dòng)，PT/CT氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移，母線氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移，氣室連接部位接插件偏離或螺栓松動(dòng)等，設(shè)備內(nèi)部只要形成了電位懸浮，就是危險(xiǎn)的，應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)測(cè)，有條件就應(yīng)及時(shí)處理。

  對(duì)于126kV GIS，如果100Hz信號(hào)幅值遠(yuǎn)大于50Hz信號(hào)幅值，且Vpeak>10mV，應(yīng)縮短檢測(cè)周期并密切監(jiān)測(cè)其增長量。如果Vpeak>20mV，應(yīng)停電處理；對(duì)于363kV和550kV及以上設(shè)備，應(yīng)提高標(biāo)準(zhǔn)。

  可通過局部放電檢測(cè)儀單傳感器定位

  移動(dòng)傳感器，測(cè)試氣室不同的部位，找到信號(hào)的大點(diǎn)，對(duì)應(yīng)的位置即為缺陷點(diǎn)，通過兩種方法判斷缺陷在罐體或中心導(dǎo)體上。

  方法一，通過調(diào)整測(cè)量頻帶的方法。將帶通濾波器測(cè)量頻率從100kHz減小到50kHz。如果信號(hào)幅值明顯減小，則缺陷位置應(yīng)在殼體上。信號(hào)水平基本不變，則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上。

  方法二，如果信號(hào)水平的大值在罐體表面周線方向的較大范圍出現(xiàn)，則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上。如果大值在一個(gè)特定點(diǎn)出現(xiàn)，則缺陷位置應(yīng)在殼體上。