影響電介質(zhì)損耗的幾點因素：

(1) 溫度，電介質(zhì)損耗與溫度的關(guān)系比較復(fù)雜，且隨電介質(zhì)材料、結(jié)構(gòu)的不同而不同。

(2) 頻率，當電源頻率為某一數(shù)值時，損耗達到最大，改變電源的頻率，電介質(zhì)的損耗將減少。

(3) 電場強度，良好的電介質(zhì)在電場增加時，介質(zhì)損失角幾乎不發(fā)生變化但電場增大到影響介質(zhì)電導(dǎo)電流增加時，則介質(zhì)損失角隨電介質(zhì)電導(dǎo)電流的增加而增加。

測量介質(zhì)損耗的意義：

1)由于介質(zhì)損失本身體現(xiàn)了泄漏電流和有損極化電流的情況。在絕緣受潮和絕緣有損失時，泄漏電流要增加，在絕緣中有大量的氣泡、雜質(zhì)，受潮的情況使極化加劇，極化損耗就要增加。這樣，tanδ反映了絕緣本身的狀態(tài)。

2)介質(zhì)損耗時會起絕緣內(nèi)部發(fā)熱，溫度升高，這將使泄漏電流加大，有損極化加劇，介質(zhì)損耗增大。介質(zhì)損耗增大會使絕緣內(nèi)部更熱，如此循環(huán)，可能在絕緣弱的地方引起擊穿，tanδ反映絕緣由良好狀況向劣化狀況轉(zhuǎn)化的過程。

3)個質(zhì)損耗本身就是導(dǎo)致絕緣老化和損壞的一個因素。

影響介質(zhì)損角測量結(jié)果的因素有以下幾點：

(1) 溫度的影響

溫度對tanδ有直接的影響，影響程度隨材料、結(jié)構(gòu)的不同而異，一般情況下，tanδ是隨溫度上升而增加，所以現(xiàn)場試驗時，設(shè)備的溫度是變化的，將不同溫度測試的tanδ結(jié)果記錄下來，換算至20℃時的對應(yīng)值，為的是便于比較。

(2) 試驗電壓的影響良好絕緣介質(zhì)的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。如果絕緣內(nèi)部有缺陷，測出的tanδ隨電壓的升高而明顯增加。

(3) 試品電容的影響

對容量較小的設(shè)備，測tanδ能有效發(fā)現(xiàn)局部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但對容量較大的設(shè)備，測tanδ只能發(fā)現(xiàn)絕緣的整體分布性缺陷。因為局部集中性的缺陷所引起的損耗增加只占總損耗的極小部分，從而被掩蓋。

結(jié)論：介質(zhì)損失角試驗是高壓電氣試驗中絕緣預(yù)防性試驗的主要項目之一，是用于發(fā)現(xiàn)絕緣受潮、絕緣劣化等缺陷方面比較靈敏有效的試驗，在絕緣試驗中占重要位置。